Technologie
Le transistor en cristal destiné à la propulsion pourrait remplacer le silicium et atténuer la surcharge liée à l’IA.
Un groupe de chercheurs de l’Université de Tokyo a développé un nouveau type de transistor utilisant de l’oxyde d’indium dopé au gallium, abandonnant ainsi le silicium traditionnel.
Ce transistor, doté d’une conception de porte « Gate-All-Around » qui enrobe le canal, montre une mobilité électronique impressionnante et une stabilité à long terme, rendant son utilisation prometteuse pour les applications en intelligence artificielle et en traitement des données massives.
Cette avancée pourrait permettre de maintenir la loi de Moore dans un environnement où les limites du silicium sont de plus en plus visibles.
En dopant l’oxyde d’indium avec du gallium, les chercheurs ont réussi à minimiser les défauts d’oxygène, entraînant une meilleure diffusion des porteurs et une fiabilité accrue.
Grâce à un processus de dépôt de couches atomiques et de chauffage, ils ont pu fabriquer un transistor MOSFET performant.
Ce nouvel appareil, présentant une mobilité élevée et une grande fiabilité sous contrainte, ouvre la voie à des composants électroniques denses et efficaces, adaptés aux exigences croissantes des technologies modernes.